当前位置:首页 > 产品展示 > > 薄膜半导体材料制备系统 > MBE 系统
详情介绍
带快速进样室的独立 MBE 系统
本底真空优于2x10-10mbar
4 轴操纵器,可直接连接电子光束加热至 1200 °C 和 液氮LN2冷却
Load-Lock进样室与线性传输杆,使样品夹具传输方便。最多可存储6个样品夹具。
沉积室包含用于 RHEED 枪、离子枪、光束通量监视器、石英晶体天平等的端口。
可更换底部法兰,带专用起重推车
沉积室中可防止交叉污染
样品沉积室配备了用于分析仪器等的其他端口。
MBE 系统根据蒸发源的类型和数量以及基板大小,可提供不同的标准衬底尺寸:直径300mm、直径450mm 和 直径570mm(根据要求的其他尺寸)。