该台式原子层沉积镀膜系统ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本低于当今市场上的价格

腔室温度：室温到325°C±1°C;

前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）

市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容

简单的系统维护和实用程序和 市场上的前体使用

流线型腔室设计和小腔室体积

快速循环能力

全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中

台式原子层沉积镀膜系统用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。

传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。

研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同）

为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。我们不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。

热ALD / PEALD

沉积工艺：
金属：Ru、Ti、Co、…

氧化物：Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、，。。。

氮化物：TiN、TaN等，。。

基板尺寸：工件最大为6英寸

源注入：双型喷头

基板加热器温度：RT至最高350℃（@晶片）

前躯体化学源数量：3套

源瓶加热：RT至150℃

射频功率：600W@13.56Mhz

极限压力：≤5.0×10-3乇

泵：干式泵或旋转泵

沉积均匀度：≤±3%

系统控制：PC控制（UPRO软件）

可选 源瓶加热温度200℃

尺寸（宽*长*高）850mm*720mm*600mm