型号：Full Deposition PSL Wafer
更新时间：2024-12-10 | 阅读：3050
详情介绍
污染晶圆标准品、校准晶圆标准品和二氧化硅颗粒晶圆标准品使用颗粒沉积系统生产，该系统将首先使用差分迁移率分析仪（DMA）分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一种高精度颗粒扫描工具，结合凝聚态粒子计数器和计算机控制，基于NIST可追溯粒径校准分离出高精度粒径峰。一旦尺寸峰得到验证，粒度流就被引导到主硅、晶圆标准表面。颗粒在沉积在晶圆表面上之前被计数，通常是在晶圆上全部沉积。或者，可以在晶圆周围的特定位置沉积多达 8 个粒径作为点沉积。晶圆标准品为KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圆检测系统的尺寸校准提供高精度的尺寸峰。
PSL球体尺寸标准品和二氧化硅尺寸标准液由差分迁移率分析仪扫描，以确定真正的尺寸峰。一旦分析了尺寸峰，就可以将晶圆标准品沉积为全沉积或点沉积，或多点沉积晶圆标准品。扫描上方100纳米（0.1微米）处的二氧化硅尺寸峰，DMA在101nm处检测到真正的二氧化硅尺寸峰。
全沉积或点沉积晶圆标准品–颗粒沉积系统提供高精度的PSL校准晶圆标准品和二氧化硅污染晶圆标准品。
我们的 2300 XP1 颗粒沉积系统提供自动颗粒沉积控制，以生成您的 PSL 晶圆标准品和二氧化硅晶圆标准品。
高分辨率、NIST 可追溯的 DMA（差分迁移率分析仪）选型和分类超过了新的 SEMI 标准 M52、M53 和 M58 协议，以实现 PSL 尺寸精度和尺寸分布宽度
在 60nm、100nm、269nm 和 900nm 处自动校准沉积尺寸
先进的差动率分析仪（DMA）技术，具有自动温度和压力补偿功能，可提高系统稳定性和测量精度
自动沉积工艺可在一个晶圆上提供多个点沉积
整个晶圆上的完整晶圆沉积;或在晶圆上的任何位置进行点沉积
高灵敏度允许PSL球和二氧化硅颗粒沉积从20nm到2um
沉积二氧化硅颗粒，用于使用高功率激光扫描校准晶圆检测系统
存放PSL球体，以便使用低功率激光扫描校准晶圆检测系统
将PSL球体和二氧化硅颗粒沉积在主要硅晶圆标准品或150mm光掩模上。
颗粒沉积工具用于在晶圆标准品上沉积非常精确的PSL尺寸标准品或二氧化硅粒径标准品，以校准各种晶圆检测系统。
PSL校准晶圆标准，用于校准使用低功率激光器扫描晶圆的晶圆检测系统。
二氧化硅污染晶圆标准，用于校准使用高功率激光器扫描晶圆的晶圆检测系统。
我们的 2300 XP1 在 75mm 至 300mm 晶圆直径的硼硅酸盐掩模和优质硅上沉积 NIST 可追溯、经过认证的掩模标准。
125mm 和 150mm 模板上的 PSL 校准模板标准
150mm口罩上的二氧化硅污染标准
75mm至300mm校准晶圆标准
75mm至300mm二氧化硅污染晶圆标准
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