表面光电压谱主要应用于半导体材料或者器件的TPV测试和机理分析，光催化材料TiO2、C3N4、CdS、磷化物等、催化材料、分子筛、太阳能电池（单晶、多晶、染料敏化、钙钛矿）、光电化学的TPV、电化学材料的TPV等。

　　光电压谱采用白光偏置光路激发材料；大功率*脉冲激光器；采用专有技术的电磁屏蔽，无任何外界干扰；测试光路，水平与垂直可任意在线切换，实现固体样品和液体样品均可测试分析。光生载流子动力学主要测试技术，载流子动力学测试技术主要有电学和谱学两类.电学方法主要是光电化学，测量方式又分时间域和频率域，时间域方法主要有瞬态光电压（TPV）和瞬态光电流（TPC），频率域方法主要有电化学阻抗谱（EIS）和光强度调制光电压谱（IPVS）和光强度调制光电流谱（IMPS）等。

　　光谱是研究半导体光生载流子动力学过程和反应历程的强有力手段之一，它可以获得半导体体内光生载流子产生、俘获、复合、分离过程的重要微观信息。光电压谱从某一稳定工作状态过渡到另一稳定工作状态的过程中所出现的瞬态现象，或对阶跃电流的响应。主要有激射延迟、张弛振荡和自脉动，这些现象限制着半导体激光器振幅调制或频率调制的性能，特别是高调制速率。

　　光电压谱给出了不同样品光生电荷分离的动力学信息，正向光伏信号代表光生电子由表面向内部转移，通常半导体材料的瞬态光伏分为漂移和扩散过程，分别对应短时间范围和长时间范围的光伏信号。表面光电压谱经棱镜分光后被分别射入光电倍增管和样品池中，激光强度通过渐变圆形中性滤光片进行调节. 光电倍增管记录参比信号，样品信号经放大器的数字示波器进行记录，样品池由具有良好屏蔽电磁噪音的材料制成。

　　瞬态光电压研究光生电子的传输行为，其光电压响应包括上升和衰退两部分，光电压上升部分在物理上对应于电极导电基底电子浓度增加（类似于电容充电过程），此过程由光生电子扩散到达基底引起，光电压下降部分主要对应于电子离开导电基底的复合过程（类似于电容放电过程）光生载流子动力学。