深能级瞬态谱仪集成多种自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。

   该仪器测量界面态速度快，精度高，是生产和科研中可广为应用的测试技术。随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能，在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、等温瞬态光谱信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，深能级瞬态谱仪具有*的能量分辨率。

   半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。深能级瞬态谱仪根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。深能级瞬态谱仪通过对样品的温度扫描可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。

   随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，深能级瞬态谱仪具有*的能量分辨率。