湿法晶电镀晶圆卡盘：

在液体蚀刻剂中蚀刻晶片涉及整个晶片与蚀刻剂接触。我们的湿处理晶片卡盘可以保护晶片的背面免受攻击。通过这种方式，可以蚀刻深结构，而不需要掩模背面。可以制造任何晶片尺寸的卡盘以及单芯片卡盘。 产品描述 卡盘由晶片夹持器和夹紧环组成。晶片放置在夹持器上，由夹紧环固定，夹紧环拧在卡盘上。三个精密密封圈确保晶片的防漏夹紧。夹持器中用户定义的凹槽最大限度地减少了夹紧晶片上的应力。 卡盘由PEEK制成，PEEK能够抵抗微细加工中使用的大多数蚀刻溶液（HF、KOH、TMAH）。 对于薄膜的制造，可以添加通风管，将卡盘中的封闭空气连接到大气压。如果蚀刻溶液被加热，强烈建议这样做。

湿蚀刻或电沉积过程中用于背面保护的湿处理晶片卡盘：我们为直径在2英寸至200毫米之间、厚度在所需范围内的晶片制造卡盘。
可以根据要求制造定制卡盘。可以制造用于KOH和HF蚀刻以及浸入其他化学物质的卡盘。带有集成环形电极的卡盘可以在电镀过程中均匀化晶片上的电流密度分布。可以根据您的需求设计用于多个湿处理晶片夹具的晶片卡盘载体。大多数载体的设计都是为了适合我们客户的蚀刻设备。

下面，我们列出了湿法蚀刻微细加工工艺中使用的一些标准化学品，这些化学品与WPWC兼容：

HF（氢fu酸）

KOH（氢氧化钾）

TMAH（四甲基氢氧化铵）

湿法晶电镀晶圆卡盘代码：WPWC

晶圆尺寸：2英寸至200毫米，可定制尺寸

蚀刻剂兼容性：HF、KOH、TMAH，可根据要求提供其他化学品

材料

支架：PEEK

夹紧环：PEEK

螺钉：PEEK

密封：取决于使用的化学品

内部尺寸（mm）

密封圈厚度：1.78

建议边缘排除：5

外形尺寸（mm）

直径晶圆尺寸：+40

厚度：25

螺钉：M6

晶圆厚度公差（µm）：晶圆厚度+/-80

温度范围：5至150摄氏度