高性能霍尔效应测量系统：

一个集成的硬件和软件系统，旨在测量和分析样品的电子特性。 该系统设计提供了在高达 2.5 特斯拉的磁场下进行测量的可能性，并结合了低温恒温器，磁场高达 16T。 同时，该系统提供了使用 2 个不同的温度测量头在 3K-1273K 范围内进行测量的机会，同时它提供了与探头系统相关的样品的简单组装，可以在 3 个不同的轴上移动。 霍尔效应测量系统 （HEMS） 设备 对半导体、有机导体和金属氧化物材料进行电气表征。这些采用纳米技术方法开发的材料用于芯片技术的发展、太阳能电池的开发、材料科学的发展、空间技术、国防工业的发展。

高性能霍尔效应测量系统技术参数

载波移动性：10⁻¹ 至 10⁷ cm²/Vsec

载流体浓度：高达 10²²/cm³

电阻率：10⁻⁵ 至 10⁹ 欧姆 cm

低温 AC-DC 测量和表征

静态插入

• 6 个霍尔效应触点，4 个范德堡测量触点

• 样品尺寸：最大 10mm x 10mm

• 多达 12 个触点进行采样

• 29 mm 外径样品插件（其他尺寸可选）

• 25 个备用样品架

• 测量电子元件和控制软件

• 温度范围：1-300K

旋转插件（垂直和水平旋转器）

• 旋转：00-3600，分辨率为 0.016

• 样品尺寸：最大 5mm x 10mm

• 多达 12 个触点进行采样

• 29 mm 外径样品插件（其他尺寸可选）

• 25 个备用样品架

• 测量电子元件和控制软件

• 温度范围：1—300K

• KF50 或 KF40 法兰选项

直流电阻/霍尔效应测量

• 源电流编程范围：50pA 至 IA •

• 电压测量范围：100mV（100nV 分辨率）至 100V（IOpV 分辨率）

• 温度范围：1-300K

交流电阻/霍尔效应测量

• 源电流编程范围：2nA 至 100mA *

• 频率范围：IHz 至 1kHz

• 阻抗 Z（T） 的实部和虚部

• 电压噪声（带低噪声电压前置放大器）：lnVNHz 本底噪声，1kHz，60dB 增益

交流磁化率测量

• 样品尺寸：最大直径 5 mm

• 交流频率范围：IOHz 至 10kHz

• 交流场振幅范围：2mOe 至 150e

• 灵敏度：2 x 10-7 emu（10kHz 时 2 x 10 IOAm2）

• 磁化率的实部和虚部 （T）

• 包括样品台校准的传感器/拾取线圈

• 测量电子元件和控制软件

• 温度范围：1-300K