合金纳米颗粒UHV沉积源是纳米颗粒沉积源，可在超高真空中将纯纳米颗粒和合金纳米颗粒沉积到样品上，从而形成功能性涂层。

此外，我们可以通过精确控制纳米颗粒的大小、组成和结构来定制纳米颗粒涂层的性能。此外，还提供以下源：单个 1英寸源（NL-D1）、一个 2 英寸源 （NL-D2） 或三个 1 英寸源（NL-D3）。最后，我们可以将这些源集成到您现有的 PVD 系统中，或将它们集成到我们定制的 真空系统中。

合金纳米颗粒UHV沉积源主要特点

• 沉积纯合金、无碳氢化合物、非团聚的纳米颗粒。

• 实现亚单层或高孔隙率 3-D 纳米涂层。

• NL-D3 可同时使用两种或三种材料沉积多达三种材料，无论是单独沉积还是合金材料。

• 所有源均与 DC 和 Pulsed DC 电源兼容。

• 通过调整各种工艺参数（如气体流量、气体类型、磁控管功率和聚集长度 （Lg））或改变聚集区孔径的大小，来控制纳米颗粒涂层的性能。

使用四极杆质谱仪控制纳米粒径

 质量过滤器能够按质量或直径实时扫描或过滤沉积的纳米颗粒，从而促进生长条件的优化。

突出
⇒ 在 1 – 20 nm 范围内调整纳米粒径分布。

⇒ 将纳米涂层层密度从亚单层修改为 3D 纳米多孔覆盖，促进涂层从松散结合到紧密粘附。

⇒ 管理纳米颗粒的形状和结构，从结晶形式过渡到无定形形式。

⇒ 对飞行中的纳米颗粒进行质谱分析，范围为 100 – 106AMU 的。

⇒ 实现纳米颗粒粒度过滤，质量分辨率精度为 +/-2%。

控制软件
通过简单且用户友好的 Windows™ 软件界面进行操作。

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