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IG2离子源-超高真空
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更新时间:2024-12-10  |  阅读:1503

详情介绍

IG2离子源-超高真空

典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)
溅射清洗 /表面准备,用于表面科学,  MBE ,高真空溅射过程
离子辅助沉积
离子束溅射镀膜
反应离子刻蚀

后排离子源与控制器

RBD仪器的离子源包装是在UHV条件下切割样品的理想溶液。IG2离子源包装包括模型04-165 2 KV BBV离子源和模型32-165离子源控制。这些标准可与PIP 04-161和04-162离子交换和PHIP 20-045控制,相应地互换。

1401型离子枪非常适合用于表面化学实验,如用螺旋钻和XPS制备样品和深度剖面。它可以与大多数惰性气体一起使用。

1407型离子枪在电子碰撞电离离子枪中具有双等离子管性能。利用光学柱中可变光阑,可以获得大范围的光束电流和光斑尺寸。当光束能量为5 kev时,光束电流可从2 uA调整为20 um直径的光斑,从20 uA调整为100 um直径的光斑。

1402型离子枪的特点是光束能量非常低时的远光电流。它还可以在高光束能量(高达3 kev)下运行,以提供额外的深度轮廓和样品清洗能力。


IG2离子源-超高真空

3KV离子源
RBD目前提供了一个3 KV离子源扫描装置,其中包括电子电荷源、电源和电缆。设计为一个低的100次,3 KV离子源提供了一个宽10毫米口径尺寸,并与所有惰性Gasses兼容,不需要微分泵。

该包包括离子源、电子控制单元、三色电流、开锁、操作手动和一种防伪丝组装。

高性价比



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