无掩膜曝光机-光刻机

美国IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司凭借多年的光刻设备生产经验和多项无掩模曝光技术，已成为无掩模紫外光刻领域的。国内参考用户较多！

    产品优点：
    微米和亚微米光刻,最小0.6微米光刻精度
     紫外光直写曝光,无需掩模，大幅节约了掩模加工费用
    灵活性高，可直接通过电脑设计光刻图形，并可根据设计要求随意调整。
     可升级开放性系统设计。
     按照客户要求可从低端到定制，自由配置
    使用维护简单, 设备耗材价格低。
     应用范围广，目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。

   SF-100 型
     可配置汞灯光源和LED光源,多种波长曝光（385nm, 405nm）

目镜最小像素 1um
     1.25 micron with 4X reduction lens
     0.50 micron with 10X reduction lens
     0.25 micron with 20X reduction lens

无掩膜曝光机-光刻机

平台参数
     全自动电脑控制位移
     高精度三维线性驱动样品台

X and Y 轴运动：
     移动范围: 100--300mm
     准确性: +/-200 nm per axis
     重复性: +/- 50 nm per axis
   

Z 轴运动：
     移动范围: 25 mm
     准确性: +/- 200 nm
     重复性: +/- 75 nm
   

Theta 转动：
     转动角度: 360 degrees
     准确性: +/-5 arc sec
     重复性: +/-2 arc sec

激光共聚焦对准功能