型号：
更新时间：2024-12-09 | 阅读：2298
详情介绍
光刻机/紫外曝光机
仪器简介：
光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)
原产国: 韩国MIDAS公司，一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比
型号：MDA-400M, MDA-60MS
又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；
MIDAS为全球*的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前较早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精秀的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。
感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！
此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！
目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备
技术参数：
- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；
- 光束均匀性：<±3%；
- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；
- 对准精度：0.6-1微米
- 分辨率：1微米；
- 光束输出强度：15-25mW/cm2；
| 项目 | 技术规格 | |
| 曝光系统(Exposure System) MDA-400M型 | 光源功率 | 350W UV Exposure Light source with Power supply |
| 分辨率 | - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um | |
| 最大光束尺寸 | 4.25×4.25 inch | |
| 光束均匀性 | ≤ ±3% (4inch standard) | |
| 光束强度 | 15~20mW/cm2 (365nm Intensity) | |
| 曝光时间可调整 | 0.1 to 999.9 sec | |
| 对准系统(Alignment System) | 对准精度 | 1um |
| 对准间隙 | 手动调节(数字显示) | |
| 光刻模式 | 真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity） | |
| 卡盘水平调节 | 楔形错误补偿Wedge Error Compensation | |
| 真空卡盘移动 | X, Y: 10 mm, Theta: ±5° | |
| Z向移动范围 | 10mm | |
| 接近调整步幅 | 1um | |
| 样品(Sample) | 基底 Substrate | 2, 3, 4 inch |
| 掩模板尺寸 | 4 and 5 inch | |
| Utilities | 真空 Vacuum | < -200 mbar (系统包含真空泵) |
| 压缩空气 CDA | > 5Kg/cm2 | |
| 氮气 N2 | >3Kg/cm2 | |
| 电源 Electricity | 220V, 15A, 1Phase | |
| 显微镜及显示器 CCD and Monitor | Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x; |
主要特点：
- 光源强度可控；
- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；
- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；
- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；
- 真空吸盘范围可调；
-技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式
- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。
- 特殊的基底卡盘可定做；
- 具有楔形补偿功能；
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