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半导体晶片基底厚度测量
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更新时间:2024-02-27  |  阅读:1473

详情介绍

应用先进的SCI测试技术,*次实现了在高反馈速率下(16KHz),得到高精度的分析(50nm)。
任何晶片基底厚度超过3um的,均可以用此设备研究。同时可以得到表面细微缺陷型貌图。晶片大小尺寸从2“到12"均可手动放置分析测试,6“到12"有全自动在线分析系统,专业应用于半导体生产企业。升级型号还配置上下两个光学探头,可分别从晶片两面原位分析,同时可以得到金属层厚度和晶片总厚度。此系统在半导体检测行业是一个革新性的设备。
产品特性:
1, 多种扫描模式,可以精细扫描到几百万个点。
2, 可以配置CCD相机选定和观测扫描区域
3, 提供详细的指标数据,包括:于晶片厚度,弯曲/平坦度,表面型貌,表面粗糙度检测
4, 可得到2维的彩色对比图,反应整个晶片的厚度分布;3维的彩色型貌,反应整个晶片的表面分布
5, ASCII和EXCEL数据输出格式
6, 非常方便验证数据的准确性
7, 具有内部联网功能hspace=0

产品规格:
1, zui小厚度层:3um
2, 光斑大小:20um
3, zui大检测速率:4KHz, 16KHz(因型号而异)
4, 准确性:0.2um
5, 重复性:0.05um,0.1um(因型号而异)
6, 相干光波长:1300nm

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