深能级瞬态谱是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。

　　

　　深能级瞬态谱仪可以给出与陷阱有关的密度，热交叉选择，能级,空间分布等。通过监测半导体结在不同温度下的脉冲产生的电容、电流或电荷瞬变，可产生每个深度级别的光谱，每个深能级都有一个峰值。

　　

　　根据半导体P-N结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种检测灵敏度的实验方法。能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。

　　

　　通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS谱。同时DLTS测试软件集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。

　　

　　深能级瞬态谱仪测试须知：

　　

　　1、样品大小：<20mm*20mm；电极直径：>600微米；电极距离：>1mm或者在两面。

　　

　　2、样品结构

　　

　　（1）肖特基结构；

　　

　　（2）P/N结结构（p/n+或者n/p+）；

　　

　　（3）MIS（MOS）结构。

　　

　　测试温度78K~700K，一定要提供样品结构示意图。

　　

　　3、测试需要提供参数

　　

　　（1）样品标注正负极；

　　

　　（2）电流，电压值；

　　

　　（3）结的面积。对于肖特基，即肖特基金属的面积；对于PN结，即PN结的面积，对于MIS（MOS），即栅介质上金属的面积；由于测试探针针尖面积约500平方微米，故要求结的面积要大于针尖面积。