磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
产品优势:
多功能磁控溅射仪此系统包含大多数的真空薄膜镀层技术:热蒸发(boat evaporation or crucible),电子束蒸发,溅射沉积。
这样我们在一台设备上可以灵活运用多种膜生长技术,针对各种不同大小和形状的样品,非常方便切换沉积模式。腔体的开放式设计,使得样品大小从几毫米到250毫米均可镀层。样品夹具可以轻松固定多个样品并同时镀膜。多功能磁控溅射仪此系统真空腔内连接一个300mm宽的快速通道门,可以非常方便和快速地切换样品和靶源。这对于薄膜制备研究机构,面对多种材料增加或改变沉积方式,转换起来非常方便,并没有任何空间限制。