深能级瞬态谱仪是检测半导体材料中深能级杂质和晶体缺陷有用的方法，可用于检测太阳能电池材料中的各种杂质和缺陷，包括金属杂质以及点缺陷和位错的等各种缺陷类型，从而分析影响少子寿命的关键性杂质元素和缺陷。

　　深能级瞬态谱是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段，根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态，通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量） 分布谱。

　　深能级瞬态谱仪集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命，该仪器测量界面态速度快，精度高，是生产和科研中可广为应用的测试技术。

　　半导体技术的一个重要目标是减少构成所有半导体器件中，晶体、多晶和非晶层中固有的和由工艺引起的缺陷，杂质、晶界、晶面等引起的缺陷导致陷阱的产生，陷阱可以俘获自由电子和空穴。深能级瞬态光谱是现在一种通用的技术，用于测定与陷阱相关的几乎所有参数，包括密度、热界面（热发射率）、能级和空间剖面。

　　主要特点

　　1、快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷。

　　2、具有低至3微秒的快速响应时间。

　　3、具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力。

　　4、快速温度扫描能力：每8分钟100K且不影响灵敏度。

　　5、单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图。

　　6、数字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采样增量，50倍的时间跨度，和不限平均点数的平均瞬态。